反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):0.205Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):58nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):66W,输入电容(Ciss):760pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.205Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.75/个 |
| 10+ | ¥2.2/个 |
| 30+ | ¥1.96/个 |
| 100+ | ¥1.66/个 |
| 500+ | ¥1.29/个 |
| 1000+ | ¥1.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.163
2000 PCS/盘
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