反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):0.48Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@4.0A,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):350pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):6.6A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 70pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.48Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.0A | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
输入电容(Ciss) | 350pF | |
输出电容(Coss) | 110pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.255/个 |
50+ | ¥1.754/个 |
150+ | ¥1.54/个 |
500+ | ¥1.272/个 |
2000+ | ¥1.153/个 |
4000+ | ¥1.0811/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.06076
2000 PCS/盘
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