反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):42W,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):340pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.34/个 |
| 10+ | ¥3.54/个 |
| 30+ | ¥3.14/个 |
| 100+ | ¥2.74/个 |
| 500+ | ¥2.26/个 |
| 1000+ | ¥2.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.9688
2000 PCS/盘
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