导通电阻(RDS(on)):0.08Ω@5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@5V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):480pF@25V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.08Ω@5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 480pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥3.15/个 |
10+ | ¥2.48/个 |
30+ | ¥2.19/个 |
75+ | ¥1.68/个 |
525+ | ¥1.52/个 |
975+ | ¥1.42/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.5456
75 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉10.08元