反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):0.205Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):58nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):66W,输入电容(Ciss):760pF,输出电容(Coss):260pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 170pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.205Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 66W | |
输入电容(Ciss) | 760pF | |
输出电容(Coss) | 260pF | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.51/个 |
10+ | ¥2.81/个 |
30+ | ¥2.45/个 |
75+ | ¥2.1/个 |
525+ | ¥1.9/个 |
975+ | ¥1.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.932
75 PCS/盘
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