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1路双向ESD Q
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HESDUC5VB1GF-A
- 商品编号
- C3033478
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 商品毛重
- 0.000002千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
击穿电压:8.8V,反向截止电压(Vrwm):5V,峰值脉冲电流(Ipp):4A,极性:双向,类型:ESD,通道数:单路,钳位电压:20V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 击穿电压 | 8.8V | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 极性 | 双向 | |
| 类型 | ESD | |
| 通道数 | 单路 | |
| 钳位电压 | 20V |
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