反向传输电容(Crss):84pF,导通电阻(RDS(on)):0.13Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):415pF@6V,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.95V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.13Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF@6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.95V@250uA | 
| 梯度 | 售价 | 
|---|---|
| 1+ | ¥0.275/个 | 
| 100+ | ¥0.217/个 | 
| 300+ | ¥0.189/个 | 
| 3000+ | ¥0.167/个 | 
| 6000+ | ¥0.15/个 | 
| 9000+ | ¥0.141/个 | 
整盘
单价
整盘单价¥0.15364
3000 PCS/盘
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