射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):100@150mA,10V,耗散功率(Pd):250mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):20nA,集电极电流(Ic):600mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 200MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@150mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 250mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
集电极电流(Ic) | 600mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0898/个 |
500+ | ¥0.0703/个 |
3000+ | ¥0.0578/个 |
6000+ | ¥0.0513/个 |
24000+ | ¥0.0457/个 |
51000+ | ¥0.0426/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05318
3000 PCS/盘
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