反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):72mΩ@4.0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 130pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.0V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 1000pF | |
输出电容(Coss) | 150pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.757/个 |
50+ | ¥0.738/个 |
150+ | ¥0.725/个 |
500+ | ¥0.713/个 |
510+ | ¥0.713/个 |
520+ | ¥0.713/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.706
3000 PCS/盘
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