导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.636/个 |
| 50+ | ¥1.258/个 |
| 150+ | ¥1.0962/个 |
| 525+ | ¥0.894/个 |
| 2475+ | ¥0.804/个 |
| 5025+ | ¥0.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.15736
75 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉7.548元