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DMN63D8LDWQ-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN63D8LDWQ-7
- 商品编号
- C3280237
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.000032千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@4.0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.87nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):22pF@25V,连续漏极电流(Id):260mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4.0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.87nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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