反向传输电容(Crss):202pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1604pF,输出电容(Coss):408pF,连续漏极电流(Id):8.8A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1604pF | |
| 输出电容(Coss) | 408pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.521/个 |
| 50+ | ¥0.451/个 |
| 150+ | ¥0.416/个 |
| 500+ | ¥0.39/个 |
| 2500+ | ¥0.369/个 |
| 4000+ | ¥0.358/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.335
4000 PCS/盘
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