反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):59nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):228W,输入电容(Ciss):2130pF,输出电容(Coss):107pF,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 228W | |
| 输入电容(Ciss) | 2130pF | |
| 输出电容(Coss) | 107pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥224.14/个 |
| 3+ | ¥224.14/个 |
| 5+ | ¥224.14/个 |
| 30+ | ¥212.35/个 |
| 32+ | ¥212.35/个 |
| 34+ | ¥212.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥208.417
30 PCS/盘
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