反向传输电容(Crss):8pF@50V,导通电阻(RDS(on)):0.17Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):151W,输入电容(Ciss):1840pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.17Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 151W | |
输入电容(Ciss) | 1840pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.95/个 |
10+ | ¥5.76/个 |
50+ | ¥5.11/个 |
100+ | ¥4.37/个 |
500+ | ¥4.04/个 |
1000+ | ¥3.9/个 |
2000+ | ¥3.85/个 |
4000+ | ¥3.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.7012
50 PCS/盘
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