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TSJ10N06AT
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TSJ10N06AT
- 商品编号
- C329320
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.0015千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):12pF@30V,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1134pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1134pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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