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TMD8N65H
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TMD8N65H
- 商品编号
- C329323
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000479千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):1.1Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):32nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):107W,输入电容(Ciss):1110pF,输出电容(Coss):129pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 输入电容(Ciss) | 1110pF | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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