IMBG40R011M2HXTMA1实物图
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IMBG40R011M2HXTMA1

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品牌名称
Infineon(英飞凌)
厂家型号
IMBG40R011M2HXTMA1
商品编号
C32954118
商品封装
TO-263-7
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):14.4mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):85nC,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):429W,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):410pF,连续漏极电流(Id):133A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)33pF
导通电阻(RDS(on))14.4mΩ
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)85nC
漏源电压(Vdss)400V
耗散功率(Pd)429W
输入电容(Ciss)2900pF
输出电容(Coss)410pF
连续漏极电流(Id)133A
阈值电压(Vgs(th))5.6V

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