反向传输电容(Crss):29.8pF,导通电阻(RDS(on)):0.45Ω@6.0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.7nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):424pF,输出电容(Coss):36.6pF,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 29.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.45Ω@6.0V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 424pF | |
输出电容(Coss) | 36.6pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |