反向传输电容(Crss):298pF,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):2659pF,输出电容(Coss):605pF,连续漏极电流(Id):12.5A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 298pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 2659pF | |
输出电容(Coss) | 605pF | |
连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.08/个 |
10+ | ¥8.39/个 |
30+ | ¥7.47/个 |
100+ | ¥6.42/个 |
500+ | ¥5.95/个 |
1000+ | ¥5.74/个 |
2500+ | ¥5.67/个 |
5000+ | ¥5.63/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.2164
2500 PCS/盘
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