导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):540pF,输出电容(Coss):61pF,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 20W | |
输入电容(Ciss) | 540pF | |
输出电容(Coss) | 61pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0608/个 |
50+ | ¥1.648/个 |
150+ | ¥1.471/个 |
500+ | ¥1.25/个 |
2500+ | ¥1.01/个 |
5000+ | ¥0.951/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.9292
2500 PCS/盘
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