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SIRA01DP-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIRA01DP-T1-GE3
- 商品编号
- C335620
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000248千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):0.0049Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):40W,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):3490pF,连续漏极电流(Id):60A,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0049Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 3490pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.23/个 |
| 10+ | ¥7.67/个 |
| 30+ | ¥6.81/个 |
| 100+ | ¥5.84/个 |
| 500+ | ¥5.41/个 |
| 1000+ | ¥5.22/个 |
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