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FDS4685
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS4685
- 商品编号
- C336026
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00021千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):134pF,导通电阻(RDS(on)):0.035Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1872pF,输出电容(Coss):256pF,连续漏极电流(Id):8.2A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.035Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 1872pF | |
| 输出电容(Coss) | 256pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.19/个 |
| 10+ | ¥2.54/个 |
| 30+ | ¥2.22/个 |
| 100+ | ¥1.9/个 |
| 500+ | ¥1.71/个 |
| 1000+ | ¥1.61/个 |
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