反向传输电容(Crss):66pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):41W,输入电容(Ciss):1609pF,输出电容(Coss):72pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 66pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 41W | |
输入电容(Ciss) | 1609pF | |
输出电容(Coss) | 72pF | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.506/个 |
50+ | ¥1.204/个 |
150+ | ¥1.074/个 |
500+ | ¥0.912/个 |
2500+ | ¥0.742/个 |
5000+ | ¥0.699/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.68264
2500 PCS/盘
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