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18N10W
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- 18N10W
- 商品编号
- C337515
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000392千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):26.8nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):47W,输入电容(Ciss):1380pF,输出电容(Coss):88pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 输入电容(Ciss) | 1380pF | |
| 输出电容(Coss) | 88pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
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