反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):65nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):5480pF,输出电容(Coss):425pF,连续漏极电流(Id):78A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 30pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 5480pF | |
输出电容(Coss) | 425pF | |
连续漏极电流(Id) | 78A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.38/个 |
10+ | ¥3.51/个 |
50+ | ¥3.07/个 |
100+ | ¥2.64/个 |
500+ | ¥2.38/个 |
1000+ | ¥2.24/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.8244
50 PCS/盘
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