导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1250mW,输入电容(Ciss):326pF,输出电容(Coss):38pF,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1250mW | |
| 输入电容(Ciss) | 326pF | |
| 输出电容(Coss) | 38pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.657/个 |
| 10+ | ¥0.518/个 |
| 30+ | ¥0.449/个 |
| 100+ | ¥0.396/个 |
| 500+ | ¥0.355/个 |
| 1000+ | ¥0.334/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.30728
3000 PCS/盘
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