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SI2333
扩展库- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 厂家型号
- SI2333
- 商品编号
- C344008
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000032千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):59mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):920pF@10V,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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