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UMW4N65F
扩展库- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 厂家型号
- UMW4N65F
- 商品编号
- C347319
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.002372千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.8nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):33W,输入电容(Ciss):500pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.236/个 |
| 50+ | ¥0.969/个 |
| 150+ | ¥0.854/个 |
| 500+ | ¥0.711/个 |
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| 5000+ | ¥0.61/个 |
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