反向传输电容(Crss):745pF,导通电阻(RDS(on)):6.2mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):100nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):5270pF,输出电容(Coss):945pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 745pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 5270pF | |
| 输出电容(Coss) | 945pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.316/个 |
| 500+ | ¥1.0225/个 |
| 3000+ | ¥0.849/个 |
| 6000+ | ¥0.692/个 |
| 24000+ | ¥0.622/个 |
| 51000+ | ¥0.58/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.78108
3000 PCS/盘
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