反向传输电容(Crss):745pF,导通电阻(RDS(on)):6.2mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):100nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):5270pF,输出电容(Coss):945pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 745pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3W | |
输入电容(Ciss) | 5270pF | |
输出电容(Coss) | 945pF | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.474/个 |
50+ | ¥1.152/个 |
150+ | ¥1.0143/个 |
500+ | ¥0.842/个 |
3000+ | ¥0.713/个 |
6000+ | ¥0.667/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.65596
3000 PCS/盘
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