反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):574pF@10V,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1V@50uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 574pF@10V | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@50uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.16/个 |
200+ | ¥0.123/个 |
600+ | ¥0.103/个 |
3000+ | ¥0.0871/个 |
9000+ | ¥0.0765/个 |
21000+ | ¥0.0708/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08013
3000 PCS/盘
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