反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.108/个 |
500+ | ¥0.0819/个 |
3000+ | ¥0.065/个 |
6000+ | ¥0.0564/个 |
24000+ | ¥0.0489/个 |
51000+ | ¥0.0448/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0598
3000 PCS/盘
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