导通电阻(RDS(on)):26mΩ@4.5V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.2W,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):0.65V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.65V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.202/个 |
| 200+ | ¥0.159/个 |
| 600+ | ¥0.135/个 |
| 3000+ | ¥0.11/个 |
| 9000+ | ¥0.0974/个 |
| 21000+ | ¥0.0906/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1012
3000 PCS/盘
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