反向传输电容(Crss):5.8pF,导通电阻(RDS(on)):34mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):45nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):1510pF,输出电容(Coss):64pF,连续漏极电流(Id):58A,阈值电压(Vgs(th)):5.1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 输入电容(Ciss) | 1510pF | |
| 输出电容(Coss) | 64pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥80.47/个 |
| 10+ | ¥76.36/个 |
| 30+ | ¥69.23/个 |
| 100+ | ¥63.02/个 |
| 102+ | ¥63.02/个 |
| 104+ | ¥63.02/个 |
整盘
单价
整盘单价¥63.02
1000 PCS/盘