导通电阻(RDS(on)):360mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):27W,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 27W | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.59/个 |
10+ | ¥10.36/个 |
50+ | ¥10.2/个 |
100+ | ¥10.04/个 |
102+ | ¥10.04/个 |
104+ | ¥10.04/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.384
50 PCS/盘
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