反向传输电容(Crss):180pF@15V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18.6nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):2500pF@15V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 180pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3.1W | |
输入电容(Ciss) | 2500pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.207/个 |
50+ | ¥1.754/个 |
150+ | ¥1.559/个 |
500+ | ¥1.317/个 |
3000+ | ¥1.185/个 |
6000+ | ¥1.121/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0902
3000 PCS/盘
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