反向传输电容(Crss):145pF,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@2.5V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@20V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.83W,输入电容(Ciss):630pF@10V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 145pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V,3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@20V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.83W | |
输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.265/个 |
100+ | ¥0.205/个 |
300+ | ¥0.175/个 |
3000+ | ¥0.144/个 |
6000+ | ¥0.126/个 |
9000+ | ¥0.117/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.13248
3000 PCS/盘
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