反向传输电容(Crss):2.5pF,导通电阻(RDS(on)):72mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):215nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):481W,输入电容(Ciss):8660pF,输出电容(Coss):275pF,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 481W | |
| 输入电容(Ciss) | 8660pF | |
| 输出电容(Coss) | 275pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥20.8/个 |
| 10+ | ¥17.88/个 |
| 30+ | ¥14.49/个 |
| 90+ | ¥12.73/个 |
| 450+ | ¥11.93/个 |
| 900+ | ¥11.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.3308
30 PCS/盘
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