传播延迟(tpd):200ns,共模抑制比(CMRR):-,单电源:2V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):2V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):-18V~-2V,响应时间(tr):200ns,工作温度:0℃~+70℃,比较器数:-,比较器数:双路,滞后电压(Vhys):-,输入偏置电流(Ib):5pA,输入失调电压(Vos):1.5mV,输入失调电流(Ios):1pA,输出模式:MOS,输出模式:CMOS,输出模式:TTL,输出类型:开漏,输出类型:开漏,输出类型:MOS,输出类型:TTL,静态电流(Iq):150uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 比较器 | |
传播延迟(tpd) | 200ns | |
共模抑制比(CMRR) | - | |
单电源 | 2V~18V | |
双电源(Vee ~ Vcc) | 2V~18V | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -18V~-2V | |
响应时间(tr) | 200ns | |
工作温度 | 0℃~+70℃ | |
比较器数 | - | |
比较器数 | 双路 | |
滞后电压(Vhys) | - | |
输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
输入失调电压(Vos) | 1.5mV | |
输入失调电流(Ios) | 1pA | |
输出模式 | MOS | |
输出模式 | CMOS | |
输出模式 | TTL | |
输出类型 | 开漏 | |
输出类型 | 开漏 | |
输出类型 | MOS | |
输出类型 | TTL | |
静态电流(Iq) | 150uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.32/个 |
10+ | ¥8.81/个 |
30+ | ¥7.87/个 |
75+ | ¥6.38/个 |
525+ | ¥5.94/个 |
1500+ | ¥5.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.8696
75 PCS/盘
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