反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):1000pF@15V,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 100pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
输入电容(Ciss) | 1000pF@15V | |
输出电容(Coss) | 150pF | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.504/个 |
50+ | ¥0.399/个 |
150+ | ¥0.346/个 |
500+ | ¥0.306/个 |
2500+ | ¥0.275/个 |
5000+ | ¥0.259/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.253
2500 PCS/盘
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