反向传输电容(Crss):180pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):41.6nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):4480pF,输入电容(Ciss):2800pF,输出电容(Coss):240pF,连续漏极电流(Id):9.8A,连续漏极电流(Id):7.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.6nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 4480pF | |
| 输入电容(Ciss) | 2800pF | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.83/个 |
| 50+ | ¥0.648/个 |
| 150+ | ¥0.571/个 |
| 500+ | ¥0.473/个 |
| 2500+ | ¥0.43/个 |
| 4000+ | ¥0.404/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.374
4000 PCS/盘
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