反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):1390pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):7.5A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 150pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 1390pF | |
输出电容(Coss) | 190pF | |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
配置 | 共漏 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.53/个 |
10+ | ¥3.16/个 |
30+ | ¥2.98/个 |
100+ | ¥2.79/个 |
500+ | ¥2.68/个 |
1000+ | ¥2.63/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.4196
3000 PCS/盘
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