反向传输电容(Crss):205pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):24V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):840pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):8A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 205pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 24V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.7W | |
输入电容(Ciss) | 840pF | |
输出电容(Coss) | 210pF | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
配置 | 共漏 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.732/个 |
10+ | ¥0.654/个 |
30+ | ¥0.621/个 |
100+ | ¥0.58/个 |
500+ | ¥0.561/个 |
1000+ | ¥0.55/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.55
3000 PCS/盘