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HY4504B6
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HY4504B6
- 商品编号
- C358121
- 商品封装
- TO-263-6
- 商品毛重
- 0.00236千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):1112pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):208nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):7966pF,连续漏极电流(Id):322A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1112pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 208nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输入电容(Ciss) | 7966pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 322A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.64/个 |
| 10+ | ¥6.31/个 |
| 30+ | ¥5.57/个 |
| 100+ | ¥4.75/个 |
| 500+ | ¥4.44/个 |
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