反向传输电容(Crss):3.4pF,导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):73pF,输出电容(Coss):7pF,连续漏极电流(Id):170mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.36W | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 输出电容(Coss) | 7pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.179/个 |
| 200+ | ¥0.142/个 |
| 600+ | ¥0.121/个 |
| 3000+ | ¥0.0992/个 |
| 9000+ | ¥0.0883/个 |
| 21000+ | ¥0.0825/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09126
3000 PCS/盘
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