导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):360mW,连续漏极电流(Id):220mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@1.0mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1.0mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0533/个 |
| 50+ | ¥0.046/个 |
| 150+ | ¥0.042/个 |
| 500+ | ¥0.0395/个 |
| 3000+ | ¥0.0363/个 |
| 6000+ | ¥0.0352/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0363
3000 PCS/盘