反向传输电容(Crss):2.9pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,工作温度:-40℃~+85℃,数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):380mW,输入电容(Ciss):22.8pF,输出电容(Coss):3.5pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@1.0mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
工作温度 | -40℃~+85℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 380mW | |
输入电容(Ciss) | 22.8pF | |
输出电容(Coss) | 3.5pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1.0mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.425/个 |
100+ | ¥0.338/个 |
300+ | ¥0.295/个 |
3000+ | ¥0.263/个 |
6000+ | ¥0.237/个 |
9000+ | ¥0.224/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24196
3000 PCS/盘
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