射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):-,直流电流增益(hFE):30@50mA,10V,耗散功率(Pd):1.56W,集射极击穿电压(Vceo):300V,集射极饱和电压(VCE(sat)):-,集电极截止电流(Icbo):100uA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | - | |
直流电流增益(hFE) | 30@50mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 1.56W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.232/个 |
50+ | ¥0.955/个 |
150+ | ¥0.836/个 |
500+ | ¥0.688/个 |
2500+ | ¥0.622/个 |
5000+ | ¥0.583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.583
2500 PCS/盘
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