射基极击穿电压(Vebo):5V,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):3MHz,直流电流增益(hFE):75@3A,4V,耗散功率(Pd):20W,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V@6.0A,600mA,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):6A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 3MHz | |
直流电流增益(hFE) | 75@3A,4V | |
耗散功率(Pd) | 20W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@6.0A,600mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
集电极电流(Ic) | 6A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.556/个 |
50+ | ¥1.236/个 |
150+ | ¥1.0989/个 |
500+ | ¥0.928/个 |
2500+ | ¥0.786/个 |
5000+ | ¥0.74/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.72312
2500 PCS/盘
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