射基极击穿电压(Vebo):7V,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):50@100mA,1V,耗散功率(Pd):12.5W,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.7V@3A,600mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):6A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 50@100mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 12.5W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@3A,600mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 6A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.68/个 |
50+ | ¥0.593/个 |
150+ | ¥0.557/个 |
500+ | ¥0.511/个 |
2500+ | ¥0.49/个 |
5000+ | ¥0.478/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.4508
2500 PCS/盘
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