射基极击穿电压(Vebo):5V,数量:1个PNP-预偏置,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):250MHz,直流电流增益(hFE):600,耗散功率(Pd):350mW,输入电阻:4.7kΩ,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV,集电极截止电流(Icbo):500nA,集电极电流(Ic):100mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 600 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |